ساخت افزاره جدید Idmos براساس بکاربردن p-well مورد استفاده در سطح فوقانی افزاره و تاثیر آن برجریان عبوری و ولتاژ شکست ترانزیستور

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,025

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE14_036

تاریخ نمایه سازی: 31 مرداد 1390

چکیده مقاله:

دراین گزارش قصد داریم تا در ابتدا مراحل ساخت افزاره ldmos را تشریح کرده و در ادامه تاثیر عوامل ساخت در ناحیه n-drift را درا یجاد ولتاژ شکست بالا مورد بررسی قرار دهیم دراین افزاره می بینیم نحوه ساخت و طراحی بگونه ای انجام شدها ست که همزمان با ایجاد یک ولتاژ شکست بالا مقاومت حالت روشن کم بوده و جریان دارای مقدار قابل قبولی خواهد بود.

نویسندگان

محمدمهدی علامه

دانشگاه شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :