مدل مداری و آنالیز رفتار دیودهای نوری بهمنی

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,372

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE14_061

تاریخ نمایه سازی: 31 مرداد 1390

چکیده مقاله:

این مقاله روش جدیدی برای افزایش سرعت SAGCM-APD جستجو می کند این بهبود با اضافه کردن یک لایه بار نازک بین لایه های جذب و گریدینگ بدست می آید بعلاوه ما یک مدل مداری برای ساختار با استفاده از معادلات نرخ حامل درنواحی مختلف ساختار استخراج می کنیم در مقاله جاری علاوه بر پاسخ فرکانسی ما اثرات لایه بار جدید را روی پارامترهای گذرا نظیر slew rate و زمانهای صعود و نزول در نظر می گیریم با تنظیم صحیح پارامترهای فیزیکی شامل پهنای لایه های مختلف و ناخالصی ها یک کاهش قابل ملاحظه در ولتاژ شکست گزارش می کنیم سرانجام نتایج شبیه سازی بهبود کارایی طرح پیشنهادی د رمقابل ساختارهای SAGCM-APD اعتبار می بخشد.

نویسندگان

علیرضا احدپورشال

دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان گروه مهندسی برق

عباس قدیمی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان گروه مهندسی برق

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • J. C. Campbell, :Recent advances in telec ommunications avalanche photodiodes, ...
  • B. E. A. Saleh, and M. C. Teich, :Breakdown voltage ...
  • نمایش کامل مراجع