بهبود پارامترهای سلول خورشیدی فیلم نازکCdS/CdTe به کمک اثرمیدان دراتصال پشتی Back Surface Field
محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,499
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_146
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
چکیده مقاله:
سلولهای خورشیدی فیلم نازک CdTe مدتهاست که بخاطر بازده بالا و هزینه ساخت کم موردتوجه جهانی قرارگرفته اند دریک سلول خورشیدی CdS/CdTe باتوجه به عرض ناحیه تخلیه پیوند حاملهای الکتریکی تولید شده درفواصل بیشتر از 1mm ازفصل مشترک لایه CdS و CdTeنقش بسیارکمی درمکانیسم هدایت الکتریکی بازی می کنند از این رو کاهش ضخامت لایه CdTe به منظور کاهش ماده مصرفی و همچنین کاهش تلفات بازترکیب امری حائز اهمیت است ازسوی دیگر با کاهش ضخامت لایه CdTe احتمال بازترکیب سطحی حاملها دراتصال پشتی افزایش می یابد و باعث افت پارامترهای سلول می شود بنابراین درتعیین ضخامت بهینه لایه جاذب CdTe باید ملاحظات دقیقی صورت گیرد دراین مقاله با قرار دادن ماده ای با انرژی شکاف باند بزرگ ZnTe دراتصال پشتی و ایجاد میدان الکتریکی امکان کاهش ضخامت لایه جاذبه CdTe به 1mm ودرعین حال غلبه بربازترکیب سطحی دراتصال پشتی فراهم می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
عبدالنبی کوثریان
دانشگاه شهیدچمران اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :