مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE
محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,816
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_413
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
چکیده مقاله:
ترانزیستوردوقطبی با گیت عایق شده IGBT هنگامیکه به عنوان کلیدقدرت درمدارات سوییچینگ استفاده می شود باید درنواحی قطع و اشباع خودکار کند تابه حال دو مدل برای IGBT جهت استفاده درنرم افزارPSPICE معرفی شده که عبارتنداز مدل رفتاری و مدل فیزیکی استخراج پارامترهای سوییچینگ از این مدلها معمولا ساده نیست دراین مقاله مدلساده ای ارایه شده که ترکیبی از دو مدل قبلی است و مهندسین می توانند به راحتی و با استفاده از اطلاعات سازندگان و پارامترهای داده شده ازطرف انها ازمدل هدف به عنوان کلید قدرت IGBT درمدارات سوییچینگ استفاده کنند این مدل جهت توصیف شرایط کلیدزنی IGBT ازیک کلید کنترل شده با ولتاژ به منظور مدلسازی ماسفت داخلی دو خازن تحت عنوان خازن های پارازیتی و یک دیود موازی معکوس تشکیل شده است برخلاف دو مدل قبلی شبیه سازی مدل حاضر توسط PSPICE به محاسبات عددی بالایی نیاز ندارد دراین مقاله پس از معرفی و بیان اصول طراحی مدل هدف به شبیه سازی آن توسط مدار راه انداز خواهیم پرداخت و درنهایت جهت اثبات ادعاهای خود از آن برای شبیه سازی یک مبدل باک رزونانسی استفاده می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
کریم سلطان زاده
گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
حسین خلیلیان
دانشگاه صنعتی مالک اشتر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :