آنالیز طراحی یک ترانسدیوسرLVDT جدید و استفاده ازنرم افزار شبیه سازی FLUX بمنظور تعیین ویژگیهای تاثیرات تداخل میدان مغناطیسی برعملکرداین ترانسدیوسر
محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 957
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_439
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
چکیده مقاله:
امروزه تقاضا برای سنجش بسیاردقیق موقعیت و تغییر مکانهای خطی افزایش یافته است ترانسدیوسرهای LVDT بطور گسترده به دلیل ساختارساده دقت زیاد محدوده ی وسیع اندازهگیری عمرطولانی خطی بودن قدرت تفکیک رزولوشن بالا حساسیت زیاد پایداری و قابلیت اطمینان بالا و ..درمراکز دانشگاهی محیطهای صنعتی و تحقیقاتی و مورد استفاده قرار میگیرند این مقاله ضمن تدقیق و تبیین مقوله های مذکور درفوق به آنالیز طراحی یک ترانسدیوسرLVDT جدید و تعیین ویژگیهای تاثیرات مداخله ای میدان مغناطیسی برروی عملکرد ترانسدیوسر ساخته شده می پردازد همچنین مدل المان محدود FEM برای شبیه سازی سنسورLVDT با استفاده ازنرم افزار شبیه سازی FLUX هم درشرایط استاندارد و هم درمورد تداخل خارجی دراین مقاله مورد تجزیه و تحلیل قرارمیگیرند. از بررسی ها ونتایج حاصله ازشبیه سازی های ذیربط برای توسعه و بهینه سازی نمونه ی ساخته شده LVDT و انجام مجموعه ی کاملی از اندازه گیری ها استفاده شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
جهانگیر باقری
استاددانشگاه جندی شاپور
محسن اسمعیل زاده
کارشناس )B.Sc