سلول خازن منفی جدید برای افزایش بهره تقویت کننده های گسترده

یک ساختار تقویت کننده گسترده با بهره بالا با استفاده از سلول خازن منفی جدید در این مقاله ارائه می شود. از آنجایی که، خازن های پارازیتی سلول های بهره، بهره ی تقویت کننده های توزیع شده را محدود می کنند، می توان از خازن منفی برای جبرانسازی اثر بارگذاری خازن های پارازیتی برای بهبود بهره ی تقویت کننده های توزیع شده استفاده کرد. به علاوه، سلول خازن منفی پیشنهادی ترم مقاومت منفی ارائه می دهد که می توان از آن برای بهبود پهنای باند تقویت کننده استفاده کرد. یک تقویت کننده گسترده سه طبقه ارائه شده در تکنولوژی CMOS 0.13µm شبیه سازی شده. این تقویت کننده بهره متوسط 16.1dB و تلفات برگشتی خروجی (S22) بهتری نسبت به DA معمولی در کل پهنای باند 11.55GHz ارائه می دهد. با منبع تغذیه 1.2V، این تقویت کننده 75.3mW توان dc مصرف می کند.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده گسترده ، ترنس کانداکتانس ، سلول بهره ، سلول خازن منفی ، خط انتقال