ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

آنالیز عملکرد JL-DG MOSFET و بررسی پارامترهای آن در حوزه RF

محل انتشار: هجدهمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 651

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/471485

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE18_083

تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله عملکرد ماسفت دو گیتی بدون پیوند در ساختارهای مختلف و یکسری پارامترهای آن در حوزه RF بررسی گردیده اند، بویژه مشخصه های الکتریکی افرازه نانومتری ماسفت دو گیتی بدون پیوند بررسی و مقایسه عددی و نموداری نیز شده اند. تحلیل های مربوطه نشان میدهدJL-DG MOSFET افرازه پیشرفته ای است که توانایی مقیاس پذیری بالایی دارد. و با توجه به بررسی های بعمل آمده افزارهJL-DG MOSFET نمونه خوبی برای کنترل (SCE) ها و نوسانات زیر آستانه می باشند.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

پیمان نیک سرشت

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد ممقان

سیدرضا حسینی

استادیار دپارتمان برق الکترونیک، دانشگاه آزاد خوی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Guang-Ming Zhang, Yi-Kai Su, Hsin-Yi Hsin, and Yao-Tsung Tsai، Double ...
  • F arzanJazaeri, Lucian Barbut, and Jean- ...
  • TRAN SAC TIONS ON ELE CTRON DEVICES, VOL. 60, NO. ...
  • Juan P. Duarte, Sung-Jin Choi, Dong-II Moon, and Yang-Kyu Choi ...
  • Dip ankarGhosh, Mukta Singh Parihar, G. Alastair Armstrong, and Abhin ...
  • ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 33, NO. 10, OCTOBER 2012 ...
  • C hitrakantS ahu, Jawar Singh _ and circuit performance analysis ...
  • Dip ankarGhosh, Mukta Singh Parihar, and Abhin avKranti _ RF ...
  • I7] Santosh Kumar Gupta1, S. Baishya2 _ Analog and RF ...
    • نمایش کامل مراجع