CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET

اعتبار موردنیاز : ۱ | تعداد صفحات: ۷ | تعداد نمایش خلاصه: ۲۳۱ | نظرات: ۱
سال انتشار: ۱۳۹۴
کد COI مقاله: ISCEE18_115
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۵۸۱.۹۴ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۷ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۷ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳,۰۰۰ تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET

  سمیرا سالاریان - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق، دانشگاه آزاد واحد بجنورد
  مسعود هوشمند کفاشیان - عضو هیات علمی دانشکده فنی، دانشگاه پیام نور مشهد

چکیده مقاله:

ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی(NBTI) یکی از دغدغه های اصلی قابلیت اطمینان برای افزاره های امروزی و آینده است که باعث تخریب عملکرد در طول زمان می شود. در این مقاله به بررسی اثر NBTI در سلول حافظه SRAM براساس ترانزیستور FinFET پرداخته شده و اثر NBTI بر روی Hold SNM و Read SNM بررسی شده است. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزار HSPICE گره تکنولوژی 14nm در دمای 125 درجه سانتی گراد و منبع تغذیه 0.8 ولت برای فاصله زمان های مختلف انجام شده است. نتایج نشان می دهد که پدیده ی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی مقادیر SNM نگهداری و SNM خواندن را تحت تأثیر خود قرار می دهد و براساس اندازه گیری های انجام شده در این پژوهش، در بدترین شرایط میزان SNM نگهداری و SNM خواندن در نتیجه NBTI در فاصله زمانی (T=10(6 ثانیه ، به ترتیب15.32 % و34.93 % تنزل پیدا کرده و سلول ناپایدار شده است.

کلیدواژه‌ها:

پایداری سلول (SNM)، ترانزیستور FinFET، حافظه SRAM، قابلیت اطمینان، ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی(NBTI)

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-ISCEE18-ISCEE18_115.html
کد COI مقاله: ISCEE18_115

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
سالاریان, سمیرا و مسعود هوشمند کفاشیان، ۱۳۹۴، بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET، هجدهمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران، مشهد، سازمان علمی دانشجویی مهندسی برق کشور، https://www.civilica.com/Paper-ISCEE18-ISCEE18_115.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (سالاریان, سمیرا و مسعود هوشمند کفاشیان، ۱۳۹۴)
برای بار دوم به بعد: (سالاریان و هوشمند کفاشیان، ۱۳۹۴)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • E. Maricau, G. Gielen, Analog IC Reliability in Nanometer CMOS. ...
  • هجدهمین کنفرانس ملی- دانشجویی مهندسی برق ایران دانشگاه پیام نور ... [مقاله کنفرانسی]
  • N. Goel, P. Dubey, J. Kawa and S. Mahapatra, "Impact ...
  • C. Lin et al., "Systematical study of 14nm FinFET reliability: ...
  • نیره قبادی "مدل سازی چالش‌های مربوط به قابلیت اطمینان" کارشناسی ...
  • _ Kang, H. Kufluoglu, K. Roy and M. Ashraful Alam, ...
  • K. Lee, W. Kang, E. Chung, A. Patel and N. ...
  • مصطفی ساجدی "افزایش مقاومت سلول _ در برابر خطای نرم" ... [مقاله کنفرانسی]
  • Y. Wang, S. D. Cotofana and L. Fang, "Statistical Reliability ...
  • H. Farkhani, A. Peiravi, J. Kargaard and F. Moradi, "Comparative ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    4.0
    ۱ تعداد پژوهشگران نظر دهنده
    5 0
    4 1
    3 0
    2 0
    1 0
    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه آزاد
    تعداد مقالات: ۱۴۵۸
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.