تجزیه تحلیل جابجایی اجباری نانو سیال روی صفحه افقی باحضور میدان مغناطیسی

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 598

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISME22_616

تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1393

چکیده مقاله:

این مقاله به بررسی ضخامت لایه مرزی نانوسیال روی صفحه افقی در حال حرکت با حضور میدان مغناطیسی می پردازد. برای بررسی پژوهش حاضر از روش رانگ کوتای مرتبه چهار استفاده شده است. مقاله حاضر به تاثیر درصد حجمی نانوذرات و میدان مغناطیسی پرداخته است. با افزایش میدان مغناطیسی ضخامت لایه مرزی حرارتی افزایش می یابد در حالیکه افزایش درصد حجمی نانو سیال تاثیر چندانی بر ضخامت لایه مرزی ندارد.

نویسندگان

اسماعیل لکزیان

استادیار گروه مکانیک دانشگاه حکیم سبزواری سبزوار

بهزاد داودی

داشنجوی کارشناسی ارشد مکانیک، دانشگاه حکیم سبزواریف سبزوار

ادریس ترشیزی

دانشجوی کارشناسی ارشد مکانیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد

سپهر قربان زاده

دانشجوی کارشناسی ارشد مکانیک، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار