ارتعاش وابسته به اندازه در نانوتیر ویسکوالاستیک تحت اثر فلکسوالکتریک

استفاده از نانو تیرها برای بکارگیری اثر فلکسوالکتریک نسل جدیدتری از کاربردهای نانو در صنعت می باشد. مطالعات انجام شده بر روی نانو تیرها با اثر فلکسوالکتریک تاکنون همانند میکرو تیرکهای معمولی به صورت تحلیلی و تنها با استفاده از تئوری تیرها انجام شده است. در این پژوهش برای اولین بار ارتعاش وابسته به اندازه در نانو تیر ویسکوالاستیک تحت اثر فلکسوالکتریک مورد بررسی قرار می گیرد و به چگونگی ارتعاش و نوسان پرداخته می شود. فلکسوالکتریک می تواند به علت گسترده تر بودن و اینکه مانند پیزوالکتریک ها محدود به چندین ساختار کریستالی خاص نیست به سرعت جایگاه ویژه ای در صنعت بدست آورد. با کوچک شدن ابعاد سیستم ها و قابل مقایسه شدن این ابعاد با فواصل بین ذرات و پارامترهای شبکه بلوری، بررسی اندازه و تاثیرات آن بر نانو تیر بسیار مهم می باشد و تئوری کلاسیک در پیش بینی رفتار استاتیکی و دینامیکی به دلیل مستقل بودن از اندازه سازه و فرض اینکه ماده به صورت پیوسته و یکنواخت می باشد دارای خطا است و به همین خاطر از روشهای نوین حل معادلات استفاده شده است در دنیای امروز دستیابی به انرژی نو و جدید با کمترین هزینه و ذخیره کردن آن، یک اولویت برای محققین می باشد که در این پژوهش به آن پرداخته شده است. در این پژوهش ماده ای بررسی شده است که در اثر خم کردن، میدان الکتریکی در انها تولید می شود. با خم کردن یک لایه های اتمی درون آن کشیده میشوند و واضح است که بیرونی ترین لایه بیشترین کشش را خواهد داشت. این اختلاف کشش در لایه های مختلف میتواند آنقدر سبب انتقال یون ها در کریستال شود که نهاتای یک میدان الکتریکی در آن ایجاد کند و دلیل مهم دیگر این پژوهش این است که ارتعاش نانو تیر تحت اثر فلکسوالکتریک برای ذخیره سازی انرژی هم استفاده می شود.