مطالعه لبه جذب نوری و محاسبه گاف انرژی در لایه های بیشکل (V2O5-SiO)
محل انتشار: هفتمین سمینار ملی مهندسی سطح و عملیات حرارتی
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 3,010
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISSE07_087
تاریخ نمایه سازی: 29 خرداد 1387
چکیده مقاله:
نمونه ها به صورت لایه های نازک ترکیبی از دو اکسید V2O5-SiO ، باروش تبخیر حرارتی در فشار حدودtorr 6-10 ساخته وجهت بررسی وتحقیق لبه جذب نوری این لایه ها، طیف های جذبی آنها در طول موجهای 200 تا 800 نانومتر توسط اسپکتروفوتومتر UV-VIS تهیه گردید . مشاهده می شود که مکان لبه جذب نوری با کاهش درصد وزنی V2O5 در ترکیب، به سمت طول موج های یبیشتر (انرژی های کمتر)انتقال پیدا می کند.شکاف انرژی نوری (Eopt) نمونه ها با برون یابی از قسمت خطی (جذب با لا) روی محور ћω (انرژی فوتون ورودی) بدست آمده ومعلوم شد که مقدار آن با کاهش درصد وزنی V2O5 در ترکیب از 4/14 به 3/94 کاهش نشان میدهد وبرای مطالعه ESR روی این سیستم پیشنهاد میشود.
نویسندگان
مریم حمیدی
گروه فیزیک دانشکده علوم پایه دانشگاه مازندران
علی اصغر حسینی
گروه فیزیک دانشکده علوم پایه دانشگاه مازندران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :