طراحی و ساخت پوشش های کم-گسیل (Low-E) روی شیشه با انباشت لایه های نازک ITO به روش کندوپاش مگنترون DC

لایه های نازک اکسید-ایندیم-قلع (ITO) با روش کندوپاش فعال مگنترون - DC در یک سیستم کندوپاش عمودی تهیه شده است . اثر دمای بستره و سرعت حرکت شیشه در مقابل هدف سرامیکی بر مقاومت الکتریکی سطحی و همچنین اثر توان کندوپاش بر مقاومت الکتریکی سطحی، میزان تر اگسیل و بازتاب از سطح لایه نازک اندازه گیری شده است . پس از بدست آوردن شرایط بهینه مقاومت الکتریکی سطحی برابر □/7 12 Ω ، تراگسیل مرئی 05/87% و بازتاب در محدوده فروسرخ (طول موجμ m 50-2/5) بیش از 82/33% بدست آمد که مقادیر مناسب برای پوشش های کم - گسیل می باشند . با استفاده از داده های اپتیکی طول موج پلاسما محاسبه شده است و به کمک تئوری های موجود برای الکترون های آزاد تراکم حامل های بار و همچنین تابع شایستگی برای نمونه های مختلف حساب شده است . نتایج این محاسبات کاملا با نتایج گزارش شده مطابقت دارد .