ساخت نانو سیم های چند لایه مغناطیسی به روش رسوبدهی الکتروشیمیایی در تمپلیت نانو حفرهای پلی کربنات و مطالعه خواص آنها

روش تک حمام برای رسوب دهی الکتروشیمیایی نانوسیم های چندلایه مغناطیسی کبالت -نیکل-مس /مس از محلول سولفاماتی مورد استفاده قرار گرفته است . در این روش با نوسان دادن پتانسیل کاتدی بین مقادیر 0/2 - ولت برای لایه مس و 1/8 - ولت برای لایه مغناطیسی کبالت -نیکل-مس (نسبت به الکترود مرجع کالومل)، آرایه نانو سیمهای چندلایه در داخل تمپلیت نانو حفره ای پلیمری از جنس پلی کربنات ایجاد گردیده اند. بررسی های کرونو آمپرومتری رسوب دهی الکتروشیمیایی این نانو سیم ها د ر داخل تمپلیت پلی کربنات از یک حمام نشان می دهد که فرآیند رسوب دهی از یک مکانیزم چهار مرحله ای شامل جوانه زنی در ته حفرات، رشد نانو سیم ها، پرشدن حفرات تمپلیت و رشد قارچ های سطحی روی تمپلیت برخوردار میباشد. بررسی های میکروسکوپ الکترونی SEM و TEM نیز علاو ه بر تأیید مکانیزم چهارمرحله ای نشان می دهند که طول و قطر نانو سیم های چند لایه (و یا ضخامت لایههای ایجاد شده) با اندازه اسمی طول نانو حفرات قابل مقایسه می باشد. همچنین، بررسی های مگنتو ترانسپورت روی نانو سیم های کبالت -نیکل - مس/مس نشان می دهد که هدایت الکترونی با اسپین قطبیده به شکل عمود بر فصل مشترک، سبب بروز CPP-GMR تا مقادیر % 14 در دمای اتاق گردیده است . منحنیهای مغناطش نانو سیم های چند لایه علاوه بر تأیید رفتار مگنتوترانسپورت نانو سیم ها، نشان می دهد که آنیزوتروپی مغناطیسی در آرایه نانو سیم های چند لایه به طور دقیق از نوع هندسی میباشد.