بررسی تأثیر ساختار سطحی لایه های نازک نقره انباشت شده روی Si بر خواص الکتریکی لایه ها تحت تأثیر پارامترهای انباشت

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,247

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISSE10_132

تاریخ نمایه سازی: 1 فروردین 1388

چکیده مقاله:

در این پژوهش خصوصیات ساختاری لایه های نازک نقره انباشت شده روی سیلیکون تحت شرایط مختلف انباشت بررسی شد. لایه های مذکور به روش کندوپاش مغناطیسی تهیه شدند. با تغییر پارامترهای انباشت نظیر ضخامت از 60-1000nm و دمای زیرلایه تا حدود 300c اثرات انها مورد بررسی قرار گرفت. آنالیز میکروسکوپ الکترونی (SEM) برای بررسی ساختار سطحی روی نمونه ها صورت گرفت و تأثیر ساختار سطحی بر خواص الکتریکی توسط چهارسوزنه خطی اندازه گیری شد. نتایج حاکی از رشد اندازه دانه ها در سطح با افزایش ضخامت و افزایش دمای زیرلایه بودند. آنالیز پراش پرتو (XRD)X نشان از تغییر اندازه دانه ها مطابق با مدل ساختار منطقه ای داشت و با نتایج حاصل از تصاویر میکروسکوپ الکترونی لایه های نقره که به صورت گرم انباشت شده اند هم خوانی دارد.

نویسندگان

اکبر زنده نام

گروه فیزیک دانشگاه اراک

عبدالعلی ذوالانواری

گروه فیزیک دانشگاه اراک

آرزو شفیعی

گروه فیزیک دانشگاه اراک

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • هادی سوالونی، مبانی علم سطح در نانو فناوری، 1383، جلد ...
  • Kah Yoong Chan, at-el, Micro electronic S Journal, 37 _ ...
  • L. Eckertova, _ _ 1990, plenum press ...
  • O. Akhavan, A. Z. Moshfegh, Appl. Surf. Sci, 254, (2007), ...
  • N.Marechal, E. Quesnel , Y.Pauleau, J. Vac. Sci. Technol. A, ...
  • _ _ ---T=300(K) 5 . _ Tsub=400(K) = 2000 _ ...
  • نمایش کامل مراجع