CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET

اعتبار موردنیاز : ۱ | تعداد صفحات: ۱۸ | تعداد نمایش خلاصه: ۳۲۸ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۹۴
کد COI مقاله: ITCC02_480
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۵۳۷.۸۲ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۱۸ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۱۸ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳,۰۰۰ تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET

  امیر باغی رهین - دانشگاه آزاد اسلامی، واحد سردرود، گروه مهندسی برق ، سردرود، ایران
  وحید باغی رهین - دانشگاه آزاد اسلامی، واحد سردرود، گروه مهندسی برق ، سردرود، ایران

چکیده مقاله:

در این مقاله ، یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه جدید بهره بالا و توان پایین مبتنی بر ترانزیستور FomFET با گیت های مستقل پیشنهاد شده و طراحی و شبیه سازی آن با نرم افزار HSPICE و تکنولوژی 32 نانومتر FinFET به انجام رسیده است. مشخصات اصلی تقویت کننده پیشنهادی از قبیل بهره ولتاژ DC، توان مصرفی، فرکانس بهره واحد (UGF)، نسبت حذف حالت مشترک (CMRR)، نسبت حذف اثر تغذیه (PSRR) و زمان نشست (settling-time) محاسبه شدند و با یک تقویت کننده دو طبقه مرسوم CMOS مورد مقایسه قرار گرفتند. مشاهده شد که تقویت کننده عملیاتی پیشنهادی مبتنی بر FinFET در ولتاژ تغذیه کمتر عملکرد بالایی در مقایسه با تقویت کننده دو طبقه مرسوم مبتنی بر MOSFET دارد. در طرح پیشنهادی با ولتاژ تغذیه 1 ولت و توان مصرفی 58 میکرو وات ، بهره 52 دسی بل و فرکانس بهره واحد 4/6 مگا هرتز با حد فاز 71 درجه بدست آمد. با مقایسه طرح پیشنهادی با تقویت کننده دو طبقه CMOS مرسوم از لحاظ ضریب شایستگی مشاهده کردیم که ضریب شایستگی طرح پیشنهادی به اندازه 1/2 برابر بهبود یافته است.به انجام رسید

کلیدواژه‌ها:

تقویت کننده عمیاتی دو طبقه، ترانزیستور Fin fet، بهره بالا، توان پایین، ولتاژ پایین

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-ITCC02-ITCC02_480.html
کد COI مقاله: ITCC02_480

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
باغی رهین, امیر و وحید باغی رهین، ۱۳۹۴، یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET، دومین کنفرانس بین المللی و سومین همایش ملی کاربرد فناوری های نوین در علوم مهندسی، مشهد، دانشگاه تربت حیدریه، دانشگاه فردوسی مشهد، https://www.civilica.com/Paper-ITCC02-ITCC02_480.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (باغی رهین, امیر و وحید باغی رهین، ۱۳۹۴)
برای بار دوم به بعد: (باغی رهین و باغی رهین، ۱۳۹۴)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • Agostinelli, M., Alioto, M., Esseni, D., & Selmi, L. (2212). ...
  • Alioto, M. (2211). Comparative evaluation of layout density in 3T, ...
  • Amara, A., Rozeau O., & Editors. (2221). Planar Double-Gate Transistor: ...
  • Black, W., Allstot, D., & Reed, R. (1112). A high ...
  • Colinge, JP., & Editors. (2221). FinFET and Other Multi-Gate Transistors. ...
  • Gray, P., & Meyer, R. (1114). Recent advances in monolithic ...
  • Huijsing, J., R. Hogervorst, & de Langen, K.-J. (1115). Low-power ...
  • Islam, A., Akram, M., & Hasan, M. (2211). Variability Immune ...
  • Suzuki, K., Tanaka, T., Tosaka, Y., Horie, H., Arimoto, Y., ...
  • Suzuki, K., & Sugii T. (1115). Analytical models for n+-p+ ...
  • Tosaka, Y., Suzuki, K., Horie, H., & Sugii, T. (1114). ...
  • Vinoth, C., Bhaaskaran, V. S. K., Brindha, B. & et ...
  • Wong, H. S. P. (2221). Beyond the conventional MOSFET. in ...
  • Yu, B., Wang, H., Joshi, A., Xiang, Q., Ibok, E., ...
  • کدام مقالات به این منبع استناد نموده اند


    بر اساس سیستم تحلیلی استنادات مقالات، تاکنون برای نگارش ۱ مقاله استفاده شده است.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه آزاد
    تعداد مقالات: ۳۷
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.