A Dynamic Simulation on Single Gate Junctionless Field EffectTransistor Based on Genetic Algorithm
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 572
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_ACSIJ-3-5_019
تاریخ نمایه سازی: 12 آبان 1393
چکیده مقاله:
We study the I-V characteristics of single gate junctionless fieldeffect transistor by device simulation. The sample FET issimulated at different channel lengths and the I-V curve changesdue to variations of and channel length have been systematicallyanalyzed. The new approach exhibited here utilizes a GeneticAlgorithm to select the important physical and heuristic elementsin order to define a compact yet precision model for Single GateJunctionless Field Effect Transistor characteristic. The resultsshow that the mean absolute percent error (MAPE), root-meansquaredeviation (RMSD) and standard deviation error (SDE)were at an acceptable level
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Roya Noran
Department of Electrical Engineering, Khorasan Institute of Higher Education UniversityMashhad, Khorasan Razavi, Iran