تقویت کننده کم نویز تمام تفاضلی CMOS با سطح منبع تغذیه پایین و بهره توان بالا برای کاربردهای فراپهن باند
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 414
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_ELEMAG-3-4_006
تاریخ نمایه سازی: 30 فروردین 1399
چکیده مقاله:
در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز تمام تفاضلی جدید برای کاربردهای فراپهن باند ارائه شده است. تقویت کننده پیشنهادشده شامل طبقه ی ورودی گیت مشترک برای بهبود تطبیق امپدانس و طبقه دوم سورس مشترک برای افزایش بهره و کاهش نویز تقویت کننده است. همچنین از فیدبک ترانزیستوری موازی-موازی برای افزودن درجه آزادی در انتخاب ترارسانایی ترانزیستور ورودی و بهبود پهنای باند و خطسانی استفاده شده است. تقویت کننده کم نویز پیشنهادشده بر اساس فناوری µm 18/0 CMOS RF-TSMC طراحی و با استفاده از نرم افزار ADS شبیه سازی شده است. این تقویت کننده در پهنای باند GHz 7-4، دارای بهره توان مسطح (S21) dB 25/0± 17، عدد نویز کمتر از dB 7/2، تلفات بازگشتی ورودی (S11) کمتر از dB 10- و خطسانی (IIP3) dBm 1- است. توان مصرفی آن نیز mW 5/8 از منبع تغذیه V 75/0 است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :