ترکیب روش شبکه بولتزمن و تاگوچی جهت بهینه سازی اثر میدان مغناطیسی بر روی همرفت طبیعی نانوسیال در محفظه نیم دایره ای
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 397
فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IHUMC-6-2_004
تاریخ نمایه سازی: 19 مرداد 1398
چکیده مقاله:
در این مقاله اثر میدان مغناطیسی بر روی جریان همرفت طبیعی نانو سیال در یک محفظه نیم دایره ای با حضور منبع حرارتی شبیه سازی شده است. ابتدا انتقال حرارت همرفت طبیعی در یک محفظه ساده با یک دیوار گرم و یک دیوار سرد تحت تاثیر میدان مغناطیسی به کمک روش شبکه بولتزمن شبیه سازی شده و نتایج بدست آمده با داده های قبلی مقایسه شده است. در ادامه پارامتر های تاثیرگذار دیگری از قبیل هندسه منبع حرارتی، زاویه میدان مغناطیسی و درصد حجمی نانوسیال بر چگونگی نرخ انتقال حرارت مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. بدین منظور نتایجی از قبیل خطوط جریان و خطوط همدما ارائه شده است. در نهایت با استفاده از روش تاگوچی پارامترهای تاثیرگذار و سطوح آنها شناسایی و از بین تعداد حالات ممکن، حالت بهینه برای شبیه سازی تعیین شده است. سرانجام با استفاده از آنالیز آماری این روش شرایط بهینه پیش بینی و تایید شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
جواد علی نژاد
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری
جواد ابوالفضلی اصفهانی
فردوسی مشهد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :