ساخت خازن به ظرفیت پیکوفاراد با استفاده از پلی آنیلین رسانا
سال انتشار: 1381
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 359
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJPST-15-1_004
تاریخ نمایه سازی: 13 تیر 1396
چکیده مقاله:
پلی آنیلین به روش شیمیایی تهیه و در حلال N- متیل پیرولیدون حل شده و فیلم هایی به ضخامت 80 و 100 میکرومتر از ان تهیه شد. اردوپه شدن این فیلم ها در محلول های اسیدی(HCT) با دو غلظت متفاوت در زمان های دوپه شدن مختلف فیلم های پلی آنیلین رسانا بدست آمد. از این فیلم ها، صفحات مربعی شکل به ابعاد یک سانتی متر تهیه شد و از فیلم های دارای ضخامت و زمان دوپه شدن یکسان به عنوان صفحات رسانا و از کاغذ آغشته به پارافین به عنوان دی الکتریک خازن استفاده شد. در این کار پژوهشی مراحل مختلف ساخت خازن پلی آنیلین رسانا ،نتایج اندازه گیری ها و محاسبات ظرفیت خازن ساخته شده براساس انتشار صفحه ماننده دوپه کننده و همچنین پایداری ظرفیت آن در خلاء و محیط اتمسفر گزارش شده است . از نتایج معلوم می شود که ظرفیت با افزایش زمان دوپه شدن افزایش می یابد و در مورد فیلم های پلی آنیلین نارسانای با ضخامت کمتر زودتر به مقدار بیشینه خود می رسد مقدار بیشینه ظرفیت در شرایط کار این پژوهش در حدود 42 پیکوفاراد اندازه گیری شد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حسن عقل آرا
دانشگاه تبریز، دانشکده فیزیک