شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
محل انتشار: فصلنامه مهندسی مخابرات جنوب، دوره: 7، شماره: 24
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 386
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JCEJ-7-24_002
تاریخ نمایه سازی: 5 خرداد 1398
چکیده مقاله:
در این مقاله، به ارایه یک ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحی شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب کننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،32 نانو متر طراحی می شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب کننده ارایه شده در شبیه ساز HSPICE شبیه سازی شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد مطلوب را تا فرکانس 2 گیگا هرتز ، مصرف توان ماکزیمم 3.7464µw و همچنین دارای THD 0.226043% می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
عبدالرسول مقاتلی
دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد واحد بوشهر
حسین مومن زاده
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد واحد بوشهر
محمد نادر کاکایی
هیت علمی دانشگاه آزاد واحد بوشهر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :