افزایش چسبندگی سطحی لایه نازک اکسید گرافن روی بستر سیلیکون آبگریز
محل انتشار: مجله مواد و فناوریهای پیشرفته، دوره: 7، شماره: 1
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 380
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JEMI-7-1_004
تاریخ نمایه سازی: 6 آبان 1398
چکیده مقاله:
در این تحقیق، لایههای اکسیدگرافن[1] باردار توسط روش رایج اصلاح شده هامر[2]، سنتز گردید. لایهنازک اکسیدگرافن به روش لایهنشانی الکتروفورتیک[3] توسط سوسپانسیون کلوئیدی آبی اکسیدگرافن روی زیرلایه سیلیکون[4] لایهنشانی شد. جهت بهبود میزان چسبندگی لایههای اکسیدگرافن روی سطح آبگریز سیلیکون، عملیات اصلاح سطح زیرلایه توسط ذرات نقره انجام گرفت. فرایند احیا اکسیدگرافن لایهنشانی شده در دمای ºC400 تحت جریان آرگونانجام شد. الگوی پراش اشعهی ایکس عاملدار شدن لایههای گرافیت با گروههای عاملی اکسیژنی و افزایش موفقیتآمیز فاصله بین صفحهای توسط متد هامر اصلاح شده را تایید میکند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی از نمونه لایهنشانی شده روی بستر سیلکون اصلاح نشده، لایهنشانی غیر یکنواخت و جزئی اکسیدگرافن را نشان میدهد. بهبود میزان چسبندگی و لایهنشانی یکنواخت لایهنازک اکسیدگرافن پس از اصلاح سطح سیلیکون توسط ذرات نقره حاصل شد. طیفسنجی رامان حاصل از این نمونه شکلگیری لایهنازک اکسیدگرافن احیا شده را تایید میکند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :