رفتار فوتولومینسانس و فروسرخ نانوالیاف ZnO آلایش شده با Al

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 411

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JEMI-8-4_002

تاریخ نمایه سازی: 18 فروردین 1399

چکیده مقاله:

اکسید روی (ZnO) به دلیل نیمه­هادی بودن و دارا بودن شکاف انرژی پهن در صنایع مختلف از جمله نوری و الکترونیک مورد استفاده قرار می­گیرد. در این پژوهش نانوالیاف ZnO و آلایش شده با آلومینیوم (با نسبت­Al/Zn برابر شش درصد وزنی) با استفاده از فرایند الکتروریسی و در ادامه پس از کلسینه شدن در دماهای مختلف (250، 300 و 400 درجه سانتی­گراد) سنتز شدند. اثر آلایش بر ریزساختار، بلورشناسی، بنیان­های مولکولی و رفتار فوتولومینسانس نانو­الیاف ZnO به ترتیب به کمک میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)، آنالیز پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنجی فروسرخ تبدیل فوریه (FTIR) و طیف سنج فوتولومینسانس (PL) بررسی شد. نتایج نشان داد که متوسط قطر نانو­الیاف ZnO حاوی Al از 131 به 468 نانومتر پس از کلسینه شدن افزایش یافت. آنالیز XRD نشان داد که ZnO با ساختار هگزاگونال وورتزیت در هر دو نمونه تهیه شد و هم­چنین تایید کرد که اتم­های Al در ساختار ZnO آلایش شده­اند. مقایسه طیف FTIR نمونه­ها نشان داد که آلایش Al  باعث انتقال پیوند Zn-O به بسامد­های بیشتر و تشکیل پیوندهای قوی در شبکه ZnO شد. نتایج PL نشان داد که آلایش Al خواص نوری ZnO را بهبود بخشید، زیرا تشکیل عیوب ساختاری در اثر آلایش Al باعث ایجاد سطوح با انرژی کمتر برای نقل و انتقال الکترون از پهنه رسانش به پهنه ظرفیت می­شود.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

سهیلا اوصالی

دانشکده فنی و مهندسی، گروه مهندسی مواد، دانشگاه بوعلی سینا همدان، همدان، ایران.

حمید اصفهانی

دانشگاه بوعلی سینا همدان، دانشکده فنی و مهندسی، گروه مهندسی مواد

حمید رضا کرمی

دانشکده فنی و مهندسی، گروه مهندسی برق، دانشگاه بوعلی سینا همدان، همدان، ایران.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Hua J, Wei Q, Du Y, Yuan X, Wang J, ...
  • Krstulović N, Salamon K, Budimlija O, Kovač J, Dasović J, ...
  • Ajala F, Hamrouni A, Houas A, Lachheb H, Megna B, ...
  • Cao F, Li C, Li M, Li H, Huang X, ...
  • Coşkun B, Mensah-Darkwa K, Soylu M, Al-Sehemi AG, Dere A, ...
  • Tyona MD, Jambure SB, Lokhande CD, Banpurkar AG, Osuji RU, ...
  • Manzhi P, Alam MB, Kumari R, Krishna R, Singh RK, ...
  • Ungula J, Dejene BF, Swart HC. Band gap engineering, enhanced ...
  • Choi YS, Kang JW, Hwang DK, Park SJ. Recent advances ...
  • Pearton SJ, Norton DP, Ip K, Heo YW, Steiner T. ...
  • Wang KL, Xin YQ, Zhao JF, Song SM, Chen SC, ...
  • Park M, Han SM. Enhancement in conductivity through Ga, Al ...
  • Zhou B, Wu Y, Wu L, Zou K, Gai H. ...
  • Sandeep KM, Bhat S, Dharmaprakash SM. Structural, optical, and LED ...
  • Cetin SS, Uslu I, Aytimur A, Ozcelik S. Characterization of ...
  • Wu L, Wu Y, Wei LÜ. Preparation of ZnO nanorods ...
  • Zhang Y, Zhu F, Zhang J, Xia L. Converting layered ...
  • Birajdar SD, Alange RC, More SD, Murumkar VD, Jadhav KM. ...
  • Patterson AL. The Scherrer formula for X-ray particle size determination. ...
  • Foreman JV, Everitt HO, Yang J, McNicholas T, Liu J. ...
  • Park Y, Cho K, Kim S. Thermoelectric characteristics of glass ...
  • Samanta PK, Chaudhuri PR. Substrate effect on morphology and photoluminescence ...
  • Khan F, Baek SH, Kim JH. Influence of oxygen vacancies ...
  • Zhao M, Wang X, Cheng J, Zhang L, Jia J, ...
  • Nohara A, Takeshita S, Iso Y, Isobe T. Solvothermal synthesis ...
  • Yuliah Y, Bahtiar A, Fitrilawati, Siregar RE. The optical band ...
  • Zhao D, Andreazza C, Andreazza P, Ma J, Liu Y, ...
  • Niu W, Zhu H, Wang X, Ye J, Song F, ...
  • Kumar V, Ntwaeaborwa OM, Swart HC. Deep level defect correlated ...
  • نمایش کامل مراجع