تحلیل و بهبود جریان حالت خاموش نانو ماسفت کرنشی دومحوره سیلیکانی نوع p با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی

در ماسفت کرنشی دومحوره نوع p سیلیکانی، وجود کانال پارازیتی موازی کانال اصلی، با افزایش جریان حالت خاموش، عملکرد ماسفت را با مشکل مواجه می کند. در این مقاله، روشی برای حذف این کانال پارازیتی و بهبود جریان حالت خاموش، با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی ارایه می شود و سپس بوسیله ی شبیه ساز، نتایج بررسی می گردد. نتایج شبیه سازی نشان می دهد با افزایش دوپینگ بستر مجازی تا مقدار cm-3؛ (17)10*4. ضمن تشکیل کانال با موبیلیتی موثر بالا، جریان حالت خاموش تا بیش از (4-)10 برابر کاهش می یابد. این روش در طول کانال های مختلف موثر بوده و همچنین باعث بهبود مقاومت خروجی ماسفت می گردد.

کلیدواژه ها:

نانو ماسفت کرنشی نوع p ، جریان حالت خاموش ، چاه کوانتومی ، کانال پارازیتی ، بستر مجازی