طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهای SOI-MOSFET به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین، استفاده از ماده Si3N4 میباشد که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی، عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش به سزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان ، سیلیسیم روی عایق ، خود گرمایی