ساختاری جدید در سلول های خورشیدی نوع Tandem

در این مقاله ساختار جدیدی برای سلول خورشیدی Tandem از نیمه هادی AlGaAs/GaAs، به صورت AlGaAs/InSb/GaAs مطرح شده است. در ساختار متداول و متعارف نوع Tandem، سلول ها به ترتیب از نیمه هادی با شکاف باند بیشتر به سمت کمتر، برروی یکدیگر ایجاد میگردد. در حد فاصل بین این دیودها اتصالات تونل از نیمه هادی مربوطه بکار گرفته میشود. به این ترتیب با تابش نور، فوتون های پر انرژی در لایه های بالایی و آنهایی که انرژی کمتری دارند در لایه های زیرین جذب خواهند شد. ساختار دیودهای تونل در ناحیه مورد استفاده، مقاومت اهمی کم لازم را، تضمین می نماید. بکارگیری لایه های بسیار نازک InSb بجای دیود تونل، با توجه به مقاومت اهمی بسیار کمی که ایجاد میکند، در اینجا طرح گشته است. مسایلی از قبیل جذب نوری در این لایه ها با توجه به شکاف باند ناچیز، همچنین عدم تطبیق ثابت شبکه، میتواند کارآیی ساختار مذکور را پایین آورد. بهرحال تلفات اهمی بسیار کم در این نواحی بدون افزودن ناخالصی زیاد در این مناطق، آزادی عمل زیاد در انتخاب جریان اتصال کوتاه سلول ها؛ مزایایی هستند که نمی توان به سادگی از آنها چشم پوشی نمود

کلیدواژه ها:

سلول های خورشیدی نوع Tandem ، ایندیوم آنتیموناید ، دیود تونل ، AlGaAs/GaAs ، MBE