ساختار نواری و تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 352

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-17-4_008

تاریخ نمایه سازی: 30 دی 1397

چکیده مقاله:

در این تحقیق ساختار نواری، خواص اپتیکی و طیف تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی حفرهای با ساختار شش گوشی محاسبه شده است. ساختار نواری، نقشه و اندازه گاف نواری به روش بسط امواج تخت بر حسب شعاع محاسبه شده است. برای این بلور فوتونیکی با ثابت شبکه a، بیشینه گاف قطبش های TE و TM و بیشینه گاف کامل به ترتیب 15%، 02% و 71% و مربوط به شعاعهای a34/0 و a05/0 و a84/0 میباشد. با محاسبه طیف جذب به روش FDTD و با استفاده از قانون کیرشهف، طیف تابش گرمایی در ناحیه  m 1تا  m 01 محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان میدهد که با تنظیم پارامترهای هندسی شبکه، میتوان ساختار نواری بلور فوتونیکی سیلیکونی را مهندسی نمود و طیف تابش گرمایی را به نحوی کنترل نمود که در سیستمهای ترموفوتوولتایی قابل استفاده باشد.

نویسندگان

میثم دانشور

پژوهشکده الکتروسرام، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر، اصفهان

علی رستم نژادی

پژوهشکده الکتروسرام، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر، اصفهان