ساختار نواری و تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران، دوره: 17، شماره: 4
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 352
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-17-4_008
تاریخ نمایه سازی: 30 دی 1397
چکیده مقاله:
در این تحقیق ساختار نواری، خواص اپتیکی و طیف تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی حفرهای با ساختار شش گوشی محاسبه شده است. ساختار نواری، نقشه و اندازه گاف نواری به روش بسط امواج تخت بر حسب شعاع محاسبه شده است. برای این بلور فوتونیکی با ثابت شبکه a، بیشینه گاف قطبش های TE و TM و بیشینه گاف کامل به ترتیب 15%، 02% و 71% و مربوط به شعاعهای a34/0 و a05/0 و a84/0 میباشد. با محاسبه طیف جذب به روش FDTD و با استفاده از قانون کیرشهف، طیف تابش گرمایی در ناحیه m 1تا m 01 محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان میدهد که با تنظیم پارامترهای هندسی شبکه، میتوان ساختار نواری بلور فوتونیکی سیلیکونی را مهندسی نمود و طیف تابش گرمایی را به نحوی کنترل نمود که در سیستمهای ترموفوتوولتایی قابل استفاده باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
میثم دانشور
پژوهشکده الکتروسرام، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر، اصفهان
علی رستم نژادی
پژوهشکده الکتروسرام، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر، اصفهان