ویژه مقادیر انرژی حاملها در سیمهای کوانتومی مستطیلی با جرم موثر فضایی

با استفاده از نظریه جرم موثر ، ویژه مقادیر انرژی الکترونها و حفره ها در سیمهای کوانتومی با سطح مقطع مستطیلی و مربعی محاسبه شده است. در این تقریب ضمن ارایه شکل خاصی برای وابستگی مکانی جرم موثر حاملها ، ارتفاع سد پتانسیل نیز محدود در نظر گرفته شده است. با استفاده از داده های موجود برای سیستم های Ga . / 46 In . / 53 As / InP و GaAs / Ga . / 63 Al . / 3 As، ویژه مقادیر انرژی محاسبه و با نتایج به دست آمده از روشهای نظری دیگر مقایسه شده اند. جابه جایی انرژی نیز در سیم کوانتومی Ga . / 47 In . / 53 As / InP با روش فوق تعیین شده و با نتایج تجربی موجود مقایسه گردیده است.

کلیدواژه ها:

جرم موثر ، سیم کوانتومی ، تابع پوشا ، اثرات تحدید کوانتومی