اندازه گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم

مطالعه ای را برای به دست آوردن نمای فراوانی فسفر (مقدار فسفر بر حسب عمق از سطح) فراسطحی و به منظور تکمیل مطالعات مشابه در مورد بر (B) شروع کرده ایم. کشت فراسطحی فسفر و بر، از نظر مطالعه، طراحی و ساخت تراشه های الکترونیک با چگالی زیاد اهمیت فراوان دارند. در این مقاله، گزارشی از چگونگی اندازه گیری نمای فراوانی فسفر با استفاده از ترکیب طیف نگاری جرمی، زمان پرواز یون ثانویه ( TOF - SIMS ) و تجزیه فرایند هسته ای 31P ( a , p ) 34S تهیه شده است. با این که سطح مقطع این فرایند هسته ای کوچک است، امکان محاسبه مقدار مطلق فسفر کشت شده در سیلیسیوم در عمق کمتر از nm 20 را ایجاد نموده ایم. به این منظور دو مجموعه از نمونه های سیلیسیوم را که در آن فسفر کشت شده بود تهیه کردیم. در یک مجموعه از نمونه ها، فسفر به مقدار 181014cm تا 2 cm 371019 ب ا انرژی keV 8 و در مجموعه نمونه دوم فسفر به مقدار (فرمول درمتن مقاله) با انرژی keV 1 تاkeV 30 کشت شده است. در این مطالعه اثری از کنش خود به خودی دیده نشد.

کلیدواژه ها:

نمای فراوانی عمق ، کنش خود به خودی ، فسفر ، ایندیوم ، سیلیسیم RBSNRA SIMS