طراحی و ساخت تقویت کننده 100Wحالت جامد پالسی با استفاده از ماژول های تقویت کننده CW

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 411

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_RADAR-5-4_005

تاریخ نمایه سازی: 23 مرداد 1398

چکیده مقاله:

این مقاله به شرح اصول طراحی و ساخت تقویت­ کننده توان در فرکانس GHz 3/4 که متشکل از 3 ماژول w60 است و  بین دو مد پالسی و CW (به­صورت دستی یا از طریق واسط کنترلی) سوییچ می­گردد، می­پردازد. اجزای این تقویت­کننده که شامل تقسیم­کننده توان، ترکیب­ کننده توان و جداکننده است، به صورت کامل طراحی شده­اند. این تقویت­کننده در فرستنده ماهواره­های مخابراتی کاربرد دارد. برای طراحی تقویت­ کننده توان w100 از ترکیب سه ترانزیستور TIM4450-60SL شرکت توشیبا استفاده شده است. همچنین از یک ترانزیستور مشابه دیگر به عنوان پیش تقویت­کننده در ورودی ترکیب­ کننده توان استفاده شده­ است. به منظور شبیه ­سازی نیز مدار بایاس درین، گیت، ترکیب­کننده توان و تقسم­ کننده توان مایکرواستریپ، در نرم­افزار AWR شبیه­سازی شده است. طراحی ساده، فناوری بومی و سهولت ساخت از ویژگی­های اصلی این طرح می­باشد. در ورودی و خروجی تقویت­ کننده از یک جداکننده استفاده شده است. بنابراین، اگر به هر دلیلی ورودی تقویت­ کننده باز بماند و یا کابل ورودی به خوبی بسته نشده باشد به نوسان نخواهد افتاد.  

نویسندگان

علیرضا رضائی

دانشگاه تهران

ظاهر چراغی

دانشگاه تهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Y. S. Noh and B. Y. In, Highly integrated C-band ...
  • A. Banerjee, et al., A 29.5 dBm Class-E Outphasing RF ...
  • S. Kang, B. Donghyun, and H. Songcheol, A 5-GHz WLAN ...
  • A. Rezaee and M. Pajohesh, Combination of Neural Network and ...
  • K. Chen, and P. Dimitrios, Design of highly efficient broadband ...
  • U. Goyal, et al., Design and development of S band ...
  • Inc. Cree. CGH40006P - 6W, RF GaN HEMT Die, Rev ...
  • P. Saad, F. Christian, C. Haiying, Z. Herbert, and K. ...
  • B. Mohamadzade and A. Rezaee, Compact and Broadband Dual Sleeve ...
  • M. Abdrahman Basem, N. A. Hesham, and M. E. Gouda, ...
  • J.-H. Chen, et al., A broadband stacked power amplifier in ...
  • J. Dhar, et al., Spaceborne C-band Pulsed Solid State Power ...
  • G. Garrido, M. Angeles, et al., Critical analysis of results ...
  • S. Lavanga, et al., High voltage breakdown pHEMTs for C-band ...
  • Y. S. Noh and B. Y. In, Highly integrated C-band ...
  • E. Reese, et al., Wideband power amplifier MMICs utilizing GaN ...
  • P. Reynaert and S. Michiel,  RF power amplifiers for mobile ...
  • Y. S. Noh and B. Y. In, Highly integrated C-band ...
  • J.-H. Chen, et al., A broadband stacked power amplifier in ...
  • Y. Okamoto, et al., C-band single-chip GaN-FET power amplifiers with ...
  • J. Dhar, et al., Spaceborne C-band pulsed solid state power ...
  • G. Garrido, M. Angeles, et al., Critical analysis of results ...
  • S. Lavanga, et al., High voltage breakdown pHEMTs for C-band ...
  • Y. S. Noh and B. Y. In, Highly integrated C-band ...
  • نمایش کامل مراجع