طراحی ساختار بلور فوتونی چرپ شده برای آشکارساز مادون قرمز چندرنگ کوک پذیر

در این مقاله ساختار بلور فوتونی چرپ شده برای آشکارساز مادون قرمز چندرنگ کوک پذیر طراحی می شود. با استفاده از روش ماتریس انتقال ( TMM ) پاسخ طیف جذب در ساختار بلور فوتونی نقص دار تحت تأثیر پارامترهای ساختاری مختلف مانند تعداد، جنس و ضخامت لایه های بالا و پایین نقص و ضخامت خود لایه نقص مورد بررسی قرار می گیرد. اثر لبه نوار بلور فوتونی روی طیف جذب آشکارساز مادون قرمز بررسی، و افزایش ضریب جذب تا 96 % برای این ساختار بدست می آید. همچنین اثرات پارامترهای ساختاری مختلف مانند جنس، ضخامت لایه های کناری و مرکزی و نیز اثر تقارن لایه های کناری در محل و شدت بیشینه ها در ساختار بلور فوتونی چرپ شده بررسی می شود. با افزایش تعداد لایه های کناری تا 31 لایه اثرات فیلتری زیاد شده و تعداد بیشینه های جذب به 7 عدد می رسد. در این حالت مقدار FWHM به 36 نانومتر و فاصله بیشینه ها از هم تا 171 نانومترکاهش می یابد. با استفاده از این نتایج محل بیشینه طول موج جذب در ساختار بلور فوتونی چرپ شده با دقت 48 نانومتر تنظیم می شود.

کلیدواژه ها:

آشکارساز مادون قرمز ، بلور فوتونی ، جذب چندرنگ ، چرپ شدگی ، روش ماتریس انتقال( TMM)