طراحی تقویت کننده کم نویز با gm افزایش یافته مبتنی بر استفاده از سلف فعال در کاربردهای با پهنای باند بسیار بالا
محل انتشار: فصلنامه صنایع الکترونیک، دوره: 6، شماره: 1
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,013
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_SAIRAN-6-1_005
تاریخ نمایه سازی: 17 فروردین 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله ساختار جدیدی بر پایه سلف فعال به منظور بهینه سازی عملکرد نویز و سطح مصرفی یک تقویت کننده کم نویز (LNA) فراپهن باند گیت- مشترک با mg افزایش یافته معرفی شده که در آن از یک تقویت کننده سورس- مشترک به عنوان طبقه تقویت mg استفاده شده است. همچنین سلف غیر فعال درون تراش های بزرگ مورد نیاز در طراحی - LNA ، توسط یک سلف فعال جایگزین شده است که این موضوع مساحت کل تراشه LNA پیشنهادی را به میزان قابل ملاحظه ای کاهش می دهد. این تقویت کننده در فناوری pm 0/18 استاندارد CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. بهره توان مستقیم و مسطح (فرمول در متن اصلی مقاله) ایزولاسیون معکوس (S12) کمتر از 56/1dB - ،تلفات بازگشتی ورودی (S11) کمتر از 9/64dB - و عدد نویز (NF) 4/9dB - 4/6 در کل محدوده فرکانسی 10/6GHz - 3/1 به دست آمدهاند. همچنین مقدار توان تلف شده به ازای ولتاژ تغذیه 1/8v، 13/6mW می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شیما سادات کاظمی
کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه گیلان
علیرضا صابرکاری
استادیار دانشکده فنی دانشگاه گیلان