ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا

در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمه هادی در تکنولوژی SOI معرفی میشود که مشخصات DC و فرکانسیبهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حامل ها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه مدفوناکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیه ساز دوبعدی بررسی می شود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از 13V در ساختار متداول به 19V در ساختار جدید افزایش یافته و بهبودی حدود 47 % داشته است لذا توان ماکزیمم ساختاراز 0/19W/mm به 0/25W/mm بهبود یافته است. همچنین به دلیل کاهش خازن گیت- درین و خازن گیت- سورس مشخصه های فرکانسی ازجمله فرکانس قطع و ماکزیمم فرکانسنوسان و نویز بهبود یافته است. نتایج نشان می دهد که ساختار پیشنهادی مشخصه های توان و فرکانسی بهتری نسبت به ساختار متداولترانزیستورهای اثر میدانی فلز- نیمه هادی در تکنولوژی SOI را دارا است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدانی فلز- نیمه هادی ، سیلیسیم روی عایق ، ناحیه اکسید اضافی ، ماکزیمم توان خروجی ، مشخصات فرکانسی