مدل سازی و تحلیل حالت گذرای ناشی از برخورد مستقیم و غیرمستقیم صاعقه در سیستم های فتوولتاییک

با توجه به اینکه سیستمهای فتوولتاییک در محیط باز یا پشت بامها نصب میشوند، یکی از عوامل مهم که میتواند منجر به اخلال در عملکرد یا تخریب سیستمهای فتوولتاییک و تجهیزات آن شود، اضافه ولتاژهای گذرای ناشی از صاعقه است. لذا مدل سازی و مطالعه دقیق این تنشها جهت حفاظت موثر از سیستمهای فتوولتاییک ضروری به نظر میرسد. مدار معادلی که تاکنون برای مدل سازی پنلهای خورشیدی در حالتهای گذرا مرسوم میباشد، یک مدار صرفا مقاومتی است که در آن اثر خازن های پراکندگی موجود در پنل دیده نشده است؛ در حالی که به دلیل ماهیت فرکانس بالای تنش های ولتاژی صاعقه، تاثیر خازن های پراکندگی بر توزیع میدان و ولتاژ مهم میباشد. لذا در این مقاله یک مدل بهبودیافته برای مدل سازی پنلهای خورشیدی در حالتهای گذرای ناشی از صاعقه معرفی شده که در آن علاوه بر ساختار مقاومتی مورد استفاده در مدلهای مرسوم، تاثیر خازن های پراکندگی نیز در نظر گرفته شده است. نتایج به دست آمده از تست واقعی پنل، دقت مدل پیشنهادی در مقایسه با مدلهای مقاومتی مرسوم را نشان میدهد. در ادامه با شبیه سازی مدل وابسته به فرکانس ارایه شده برای ساختارکلی یک سیستم فتوولتاییک اضافه ولتاژهای ناشی ازبرخورد مستقیم و غیرمستقیم صاعقه به آن درمحیط EMTP-RV شبیه سازی شده و نتایج موردتحلیل قرارگرفته است

کلیدواژه ها:

سیستم های فتوولتاییک ، مدر گسترده ، اضافه ولتاژهای صاعقهEMTP-RV