ارایه ساختار نوین ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم روی عایق دو گیتی با پنجره اکسید در درین گسترده شده به منظور کاربرد در تکنولوژی نانو

ترانزیستورهای اثر میدان فلز اکسید نیمههادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار میروند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد میگردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلیسیم در ناحیه گستردگی درین بین درین و کانال و فصل مشترک اکسید گیت پشتی قرار گرفته است. این ساختار جدید OW-DG ( Oxide Window Double Gate نامیده میشود شبیه سازی های انجام شده توسط شبیه سازATLAS نشان میدهد که ترانزیستور جدید جریان حالت خاموش خازن های پارازیتی و دمای الکترون را درمقایسه با ساختارمتداول به طور چشم گیری کاهش میدهد

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای اثر میدان فلز اکسید نیمه هاد ی ماسفت ، تکنولوژی سیلیسیم روی عایق ، ترانزیستورهای دوگیتی ، دمای الکترون