تقویت کننده الکترونیکی مقاومت انتقالی برای شبکه های مخابرات نوری با ساختار جدید مبتنی بر پسخور فعال ولتاژ جریان
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 318
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-48-2_024
تاریخ نمایه سازی: 17 تیر 1398
چکیده مقاله:
در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویت کننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد می شود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می دهد. در این ساختار به جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل می شود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولتاژ مطلوب در گیت ایجاد می شود. سپس مداری بر اساس ساختار ارائه شده، پیشنهاد می شود. مدار پیشنهادی با تکنولوژی 0.18 میکرومتر CMOS شبیه سازی شد و نتایج بهره برابر با dBΩ 59 با ریپل بهره کمتر از dBΩ 1 در پهنای باند GHz 8.6 به دست آمد. توان مصرفی مدار mW 18 با منبع V 1.8 و چگالی طیفی جریان نویز در ورودی 23 محاسبه شد. مقادیر بالا در حضور خازن پارازیتی 300fF فوتودیود در ورودی است. در ساختار جدید مصالحه های جدیدی ممکن می شود. این مصالحه ها درجات آزادی بیشتری را که در ساختارهای قبلی در دسترس نبود، فراهم می سازد.
کلیدواژه ها:
تقویت کننده امپدانس انتقالی ، شبکه های مخابرات نوری ، ریپل بهره ، حاصل بهره در پهنای باند ، تقویت کننده فیدبک
نویسندگان
محمود صیفوری
تهران - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده مهندسی برق
پرویز امیری
تهران - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده مهندسی برق
ایمان داردس
تهران - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده مهندسی برق
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :