اندازه گیری ثابت هال در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Fe مورد استفاده در ساخت سنسورهای پیشرفته

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می شود. این ساختار به ساختار شبکه ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم های آرسنیک یا گالیوم اشغال می شود. از این نیمرسانای استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، سنسورهای پیشرفته، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است. در این مقاله ضریب ثابت هال نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند به ترتیب با عناصر Cr وFe آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه ی GaAs به وجود می آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در GaAs ایجاد می کنند. در این کار تجربی ضریب ثابت هال در گستره ی دمایی (400-100) درجه ی کلوین برای هر دو نمونه مذکور مورد بررسی قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

نیمرسانا ، ثابت هال ، سنسورهای پیشرفته