افزایش راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS با استفاده از لایه ی انباشت اکسیدSnO2 در مقایسه با لایه ی ZnO
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 639
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
KAUCEE01_138
تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1396
چکیده مقاله:
ایجاد لایه ی اکسید انباشته ی SnO2 به عنوان بافر در سلول خورشیدی CdTe/CdS و همچنین مقایسه ی آن با لایه ی ZnO از جنبه های نو این پژوهش می باشد. جایگزینی لایه ی اکسید شفاف SnO2 با ضخامت 60 نانومتری و شبیه سازی در محیط نرم افزاری کامسول، به ولتاژی بهتر از دو حالت قبل یعنی 0/65 ولت در مقایسه با 0/46 ولت حاصل از به کارگیری لایه ی ZnO دست یافتیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهدی کردی
دانشجوی کارشناسی ارشد برق گرایش الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان
حسین سرآبادانی
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان
شعبان رضایی برجلو
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان