مقایسه ی تاثیر لایه های انباشت اکسید ITO و ZnO به عنوان بافر، در افزایش راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 457

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

KAUCEE01_139

تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1396

چکیده مقاله:

برای افزایش عملکرد سلول خورشیدی معمولا به آن لایه بافر اضافه می کنند. تغییر در جنس و ساختار لایه ی بافر می تواند موجب تغییرات اساسی در راندمان و همچنین سادگی یا پیچیدگی فرآیند ساخت و هزینه های آن باشد. جایگزینی لایه ی اکسید انباشته ی ZnO به عنوان بافر، به جای روش معمول، یعنی استفاده از لایه ی ITO (ایندیوم قلع اکسید، - Indium-Tin Oxide ، با فرمول شیمیایی In2O5Sn ) از جنبه های نو این پژوهش می باشد. با پیاده سازی سلول خورشیدی در نرم افزار کامسول و لحاظ معادلات ماکسول با پهنای نمونه ی، این سلول در مجاورت لایه ی بافر SnO2 به خروجی ولتاژی به میزان حدودا 47 / 0 ولت منتهی شد که در مقایسه با خروجی ولتاژ 44 / 0 ولت به ازای بهره گیری از لایه ی بافر ITO ، افزایش راندمان حدودا 15 % بدست آمد. همچنین این نتیجه حاصل گردید که با توجه به اینکه ITO از مشهورترین اکسید رسانای شفاف هست ولی دارای مقاومت پایین دردمای اتاق می باشد، اما در دمای بالا مقاومت آن افزایش می یابد. لذا برای رفع این مشکل و بهبود شرایط خروجی، از اکسید روی، ZnO استفاده شده است که مقاومت مذکور را تا 50 درصد کاهش می دهد.

نویسندگان

مهدی کردی

دانشجوی کارشناسی ارشد برق گرایش الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان

حسین سرآبادانی

استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان

شعبان رضایی برجلو

استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان