طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ مد ولتاژ CMOS با استفاده از سلول FVF ، با ولتاژ و توان مصرفی پایین، فرکانس بالا و کاربرد در سیستم های پهن باند

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 638

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

KAUCEE01_157

تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1396

چکیده مقاله:

در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی مد ولتاژ CMOS در ناحیه اشباع ارایه میگردد. این ضرب کننده با استفاده از روش سلول گیلبرت عمل ضرب کنندگی را انجام می دهد و با استفاده از یک توپولوژی جدید با پهنای خطی بالا و عملکرد در فرکانس بالا کار می کند. طراحی این ضرب کننده با استفاده از سلول راه انداز FVF ، بار فعال دیودی و بصورت کاملا CMOS پیاده سازی شده است که موجب کاهش ولتاژ و توان مصرفی مدار و پاسخ فرکانسی خطی بالای مدار گردیده است و موجب شده است با تکنولوژی دیجیتال سازگاری کامل داشته باشد. بررسی کارایی ضرب کننده، با استفاده از نرم افزار HSPICE و در تکنولوژی 0.22μm شبیه سازی شده است. اعوجاج هارمونیککلی ( THD ) حدود 1% است. این مدار با ولتاژ تغذیه 1.5v - 0.7v بدرستی کار خواهد کرد که در این مقاله نتایج با ولتاژ تغذیه 0.7v بدست آمده است. همچنین توان مصرفی مدار 20.15μw است. یکی از کاربردهای ضرب کننده پیشنهادی قابلیت عملکرد به عنوان مدولاتور می باشد.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

مجتبی کردگاری

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا

سید علی امام قرشی

عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا