شبیه سازی و تجزیه تحلیل MOSFET SiGe با نرم افزار COMSOL برای کاربردهای توان و دمای بالا
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 782
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
KAUCEE01_217
تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله طراحی و شبیه سازی ترانزیستور MOSFET SiGe با نرم افزار COMSOL انجام شده است . اول یک ترانزیستور MOSFET در تکنولوژی 180 میکرون با مواد سیلیکون ساخته شده و سپس همان ترانزیستور را با مواد SiGe با درصدهای مختلف ساخته و تحت آزمایش قرار گرفته شد. همان طور که از نتایج حاصله مشخص می باشد تاثیر مقدار x که از رابطه یک مقدار ترکیب ناخالصی در ترانزیستور SiGe بیان شده ، هر چه قدر مقدار x بیشتر شود ولتاژ آستانه ترانزیستور مذکور بزرگ تر می شود. استفاده از SiGe در ترانزیستور های با مقیاس نانو باعث شده که بتوان ولتاژ آستانه را به دلخواه بر اساس کاربرد خاص انتخاب کرد. به خاطر قابلیت حرارتی SiGe نسبت به Si از این ترانزیستور در کاربرد هایی که توان و دمای کاری بسیار زیاد می باشد بیشتر استفاده شده و قابلیت ثابت نگهداشتن پارامترهای ترانزیستور را در دماهای مختلف نسبت به استفاده از سیلیکون به تنهایی را بیشتر می کند
نویسندگان
محمد مهدی مبین
دانشجوی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری دانشکده برق و کامپیوتر
محمد رضا بزرگ زاده
دانشجوی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری دانشکده برق و کامپیوتر
ابوالفضل شکیبی
دانشجوی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری دانشکده برق و کامپیوتر
میترا سلامی
دانشجوی دکتری دانشگاه حکیم سبزواری دانشکده برق و کامپیوتر