CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

سلول SRAM 10 ترانزیستوری غیر دیفرانسیلی و با عملکرد در ناحیه زیر آستانه با عملیات نوشتن سریع و حداقل ولتاژ منبع در مد نوشتن با توانایی بیت اینترلیوینگ

اعتبار موردنیاز : ۱ | تعداد صفحات: ۱۳ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۹۸ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۹۴
کد COI مقاله: MAARS01_355
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۳۴۴.۵۸ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۱۳ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۱۳ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳,۰۰۰ تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله سلول SRAM 10 ترانزیستوری غیر دیفرانسیلی و با عملکرد در ناحیه زیر آستانه با عملیات نوشتن سریع و حداقل ولتاژ منبع در مد نوشتن با توانایی بیت اینترلیوینگ

  راهبه نیارکی اصل - دانشگاه گیلان، استادیار
  مریم نوبخت آقباش - دانشگاه گیلان،کارشناسی ارشد

چکیده مقاله:

در این مقاله یک سلول SRAM 10 ترانزیستوری جدید با عملکرد در ناحیه زیر آستانه معرفی می شود. در این طرح از مسیرهای خوانش و نوشتن جداگانه ای برای دسترسی به سلاح استفاده می شود که باعث می شود سایت غنی ترانزیستورها به نحو مؤثری انجام شود. همچنین به منظور داشتن عملیات نوشتن موفق تر، برای خط کلمه نوشتن از ولتاژ افزایشی و شکستن فیدبک داخل سلول استفاده می گردد. در مد خوانش به منظور بهبود خوانش و کاهش جریان نشتی، از یک بافر و دسترسی برای جدا کردن گره ذخیره از مسیر خوانش استفاده شده است. نتایج شبیه سازی در تکنولوژی PTM 32nmنشان می دهد که سلول به ترانزیستوری پیشنهادی در مد نوشتن، با حداقل ولتاژ تغذیه 0/18V، عملیات نوشتن را با سرعت بالا و با موفقیت انجام می دهد و در این حالت دارای مصرف توان 0/19 nWمی باشد. عملیات خوانش سلول پیشنهادی در حداقل تغذیه 0/39V .ولت انجام می گردد و مصرف توان در این شرایط، 108/8 nW شبیه سازی های انجام شده نشان می دهد که سلول پیشنهادی در مقایسه با سلول استاتیکی شش ترانزیستوری استاندارد، حاشیه نویز بهتر و مصرف توان کمتری را دارد. همچنین صله پیشنهادی در مقایسه با سلول های غیر دیفرانسیلی دیگر که با ساختار بیت اینترلیوینگ کار می کنند، مد نوشتن سریع تری دارد و دارایی کمتر است و بنابراین دارای مصرف توان کمتری در مد نوشتن می باشد.

کلیدواژه‌ها:

بیت اینترلیوینگ ، حافظه استاتیکی زیرآستانه

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-MAARS01-MAARS01_355.html
کد COI مقاله: MAARS01_355

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
نیارکی اصل, راهبه و مریم نوبخت آقباش، ۱۳۹۴، سلول SRAM 10 ترانزیستوری غیر دیفرانسیلی و با عملکرد در ناحیه زیر آستانه با عملیات نوشتن سریع و حداقل ولتاژ منبع در مد نوشتن با توانایی بیت اینترلیوینگ، همایش یافته های نوین در هوافضا و علوم وابسته، تهران، دانشکده علوم و فنون نوین دانشگاه تهران، https://www.civilica.com/Paper-MAARS01-MAARS01_355.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (نیارکی اصل, راهبه و مریم نوبخت آقباش، ۱۳۹۴)
برای بار دوم به بعد: (نیارکی اصل و نوبخت آقباش، ۱۳۹۴)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • (1) Ghasem Pasandi, Seid Mehdi Fakhraie, 2013, " A New ...
  • (2) Anh Tuan Do, Kiat Seng Yeo, Jeremy Yung Shern ...
  • (3) P. Hazucha, T. Kamik, J. Maiz, S. Walstra, B. ...
  • (4) Honggang Zhou, Qiang Song, Chunyu Peng, Shoubiao Tan, 2013, ...
  • (5) Mahmood Khayatzadeh, Yong Lian, 2013, _ Average-8T Differential- Sensing ...
  • (6) Abhijit Sil, Srikanth B akkamanthala , Swetha Karlapudi, Magdy ...
  • (7) Hassan Mostafa, Mohab Anis, Mohamed Elmasry, 2011, _ Adaptive ...
  • (8) Robert C. Baumann , 205 , _ Radiation- Induced ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: ۱۱۰۵۲
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.