CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

A Review: The Silica Interlayer Engineering of High-k Metal Gate Stack Process

اعتبار موردنیاز : ۱ | تعداد صفحات: ۱۳ | تعداد نمایش خلاصه: ۳۴۲ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۹۴
کد COI مقاله: MAARS01_445
زبان مقاله: انگلیسی
حجم فایل: ۴۰۱.۵۵ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۱۳ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۱۳ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳,۰۰۰ تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله A Review: The Silica Interlayer Engineering of High-k Metal Gate Stack Process

Saeed Mohsenifar - Eletrical and computer engineering faculty, Hakim Sabzevary University, Sabzevar, Iran
M.H. Shahrokhabadi - Eletrical and computer engineering faculty, Hakim Sabzevary University, Sabzevar, Iran

چکیده مقاله:

An extensive discussion on the High-k Metal Gate (HKMG) Stack interlayer based-SiO2 for CMOS applications has been reviewed in this paper. The implementation of high-k oxides is a developing strategy to allow more miniaturization of microelectronic components. However, many issues remain to be resolved in the terms of implementation and process integration. One of this challenges is silica (SiO2) interlayer between silicon substrate and high-k oxides that prevent from continue scaling to lower equivalent oxide thicknesses (EOTs). Some techniques to trade these challenges off are investigated andpresented in this work.

کلیدواژه‌ها:

HKMG, high-k oxides, silica interlayer, EOTs,

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-MAARS01-MAARS01_445.html
کد COI مقاله: MAARS01_445

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Mohsenifar, Saeed & M.H. Shahrokhabadi, ۱۳۹۴, A Review: The Silica Interlayer Engineering of High-k Metal Gate Stack Process, همایش یافته های نوین در هوافضا و علوم وابسته, تهران, دانشکده علوم و فنون نوین دانشگاه تهران, https://www.civilica.com/Paper-MAARS01-MAARS01_445.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (Mohsenifar, Saeed & M.H. Shahrokhabadi, ۱۳۹۴)
برای بار دوم به بعد: (Mohsenifar & Shahrokhabadi, ۱۳۹۴)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • k materials-A review, " Materials Science and Engineering: R: Reports, ...
  • P. Gargini, "The Roadmap to Success: 2013 ITRS Update, " ...
  • k/Metal-Gated Devices to Advanced CMOS Technologies, " in Solid State ...
  • S emic onductors 2013 Edition, " [Online]. Available: www.itrs.net. [Accessed ...
  • binary oxides for alternative gate dielectrics in _ omplementary metal- ...
  • formation mechanisms in atomic layer deposition of gate oxides, " ...
  • Ho, I. Baumvol and F. C. Stedile, "Enhanced initial growth ...
  • march 2013. [Online]. Available: http : //www. ewh. ieee. org/r6/s ...
  • vibrational, and lattice dielectric properties of hafnium oxide, " Physical ...
  • Optical and electrical charac terization of hafnium oxide deposited by ...
  • ultrathin zirconium oxide layers _ Si(001), " Applied Physics Letters, ...
  • Linder, K. Zhao, F. Monsieur, J. Stathis and V. Narayanan, ...
  • Interfacial Layer Scavenging?, " Materials , vol. 5, no. 3, ...
  • Narayanan, "Physical origins of mobility degradation in extremely scaled SiO2/HfO2 ...
  • Narayanan, "Aggressive SiGe Channel Gate Stack Scaling by Remote Oxygen ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.