ترابرد الکترونها و رسانندگی دیفرانسیلی منفی درنانولوله های کربنی فلزی و نیم رسانا

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 496

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

MATHPHY02_059

تاریخ نمایه سازی: 30 شهریور 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله به طور نظری خواص ترابردی الکترون در نانولوله های زیگزاگ (فلزی و نیم رسانا) را در حضور میدان های الکتریکی خارجی مورد پژوهش قرار داده ایم. ابتدا با حل معادله بولنزمن و با لحاظ تقریب زمان واهلش ثابت رابطه ای برای چگالی جریان بر حسب میدان الکتریکی به دست آورده سپس منحنی جریان-ولتاژ (I-V) را محاسبه و رسم می کنیم. نشان داده یم که در دمای اتاق و در گستره معینی از میدان الکتریکی ناحیه رسانندگی دیفرانسیلی منفی (NDC) در این نانولوله ها وجود دارد. ناحیه NDC را به ازای یارامترهای مختلف بررسی کرده و در پایان برخی کاربست های این ویژگی مهم را بیان کرده ایم

نویسندگان

صاحبه غلامرضایی

گروه فیزیک دانشکده فیزیک دانشگاه یزد

قاسم انصاری پور

گروه فیزیک دانشکده فیزیک دانشگاه یزد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • S. Iijima, nature (london) 354, 56 (1991). ...
  • c. L Kane, E. J. Mele, R. S. Lee, J. ...
  • A. S. Maksimenko and G. Ya. Slepyan, phys.Rev. Lett. 84 ...
  • R. W. Keyes, Physical limits of sigicon transistors and circuits, ...
  • S. Agnoli and G. Granozzi, Second generation graphene: Opportunities and ...
  • F. Klappenb erger, K. N. Alekseev, K.F. Renk, R. Scheurer, ...
  • نمایش کامل مراجع