ارائه گیت های کم مصرف منطقی NAND و NOR با استفاده از ترکیب ترانزیستورهای تکالکترون و اثرمیدانی نانو لوله کربنی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 603
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MAYCOMP01_096
تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله مدارات حسابی دیجیتال که در کاربردهای VLSI جایگاه بسیار مهمی دارند از جمله NOR و NAND دو ورودی با بهره گیری از ترانزیستورهای تک الکترون طراحی و پیاده سازی شده اند. مدارات پیشنهاد شده به صورت ترکیبی از SET و CNTFET می باشند و توان مصرفی و انرژی بهینه ای دارند. به علاوه توان مصرفی، تاخیر انتشار و انرژی مصرفی مدارات پیشنهاد شده را با خازن های بار، ولتاژها و دماهای مختلف ارزیابی نموده و مشخصه انتقالی ولتاژ مدارات و گین ولتاژ آنها را بررسی می نماییم. شبیه سازی ها به کمک شبیه ساز HSPICE و تکنولوژی CNT٣٢nm انجام شده اند. نتایج شبیه سازی حاکی از آن است که کارهای پیشنهادی توان، تاخیر، انرژی مصرفی و گین ولتاژ بسیار مطلوبی داشته و در ترم سرعت سوئیچینگ هم عملکرد بسیار خوبی دارند.
نویسندگان
اسما ترک زاده ماهانی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
پیمان کشاورزیان
استاد یار دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان، گروه کامپیوتر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :