CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

A Survey Upon the Growth of GeC Thin Layers by Dual-Ion-Beam Sputtering Deposition

اعتبار موردنیاز : ۰ | تعداد صفحات: ۲ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۰۰۴ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۹۱
کد COI مقاله: MBHSE02_095
زبان مقاله: انگلیسی
حجم فایل: ۶۳.۵۱ کیلوبایت
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

متن کامل این مقاله منتشر نشده و درپایگاه سیویلیکا موجود نمی باشد.

منبع مقالات سیویلیکا دبیرخانه کنفرانسها و مجلات می باشد. برخی از دبیرخانه ها اقدام به انتشار اصل مقاله نمی نمایند. به منظور تکمیل بانک مقالات موجود، چکیده این مقالات در سایت درج می شوند ولی به دلیل عدم انتشار اصل مقاله، امکان ارائه آن وجود ندارد.

خرید و دانلود فایل مقاله

متن کامل (فول تکست) این مقاله منتشر نشده و یا در سایت موجود نیست و امکان خرید آن فراهم نمی باشد

مشخصات نویسندگان مقاله A Survey Upon the Growth of GeC Thin Layers by Dual-Ion-Beam Sputtering Deposition

  Kourosh motevalli - Department of Applied Chemistry, Islamic Azad University, South Tehran Branch, Tehran, Iran
  Zahra yaghoubi - Faculty of Industrial Engineering, Islamic Azad University, South Tehran Branch, Tehran, Iran

چکیده مقاله:

In this letter, as we know the importance of the layers for the industrial safety operation, the study about one of the rare materials and verifying it’svarious aspects, that is Germanium carbide (GeC) and it’s layers is the main subject of this letter. Germanium carbide layers were prepared by single and dual-ion-beam sputtering deposition at room temperature. An assisted Ar+ ion beam (ion energy Ei = 150 eV) was directed to bombard the substrate surface to be helpful for forming GeC layers. The microstructure and optical properties of nonirradicated and assisted ion-beam irradicated layers have been characterized by transmission electron microscopy (TEM), scanning electron microscopy (SEM), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) spectra. TEM result shows that the layers are amorphous. The layers exposed to a low-energy assisted ion-beam irradicated during sputtering from GeC target have exhibited smoother and compacter surface topography than which deposited with nonirradicated. The ion-beam irradicated improves the adhesion between film and substrate and releases the stress between film and substrate. With assisted ion-beam irradicated, the density of the Ge–C bond in the film has increased. At the same time, the excess C atoms or the size of the sp2 bonded clusters reduces. These results indicate that the composition of the film is essentially Ge–C bond.

کلیدواژه‌ها:

Germanium carbide (GeC) layers, FTIR, TEM,SEM, DIBSD method

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-MBHSE02-MBHSE02_095.html
کد COI مقاله: MBHSE02_095

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
motevalli, Kourosh & Zahra yaghoubi, ۱۳۹۱, A Survey Upon the Growth of GeC Thin Layers by Dual-Ion-Beam Sputtering Deposition, دومین همایش ملی بهداشت، ایمنی و محیط زیست (HSE), ماهشهر, دانشگاه آزاد اسلامی واحد ماهشهر, https://www.civilica.com/Paper-MBHSE02-MBHSE02_095.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (motevalli, Kourosh & Zahra yaghoubi, ۱۳۹۱)
برای بار دوم به بعد: (motevalli & yaghoubi, ۱۳۹۱)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • H. Schattka, "Cellulose acetate ر [1] R. A. Caruso and ...
  • S. Y. Myong, S. S. Kim, and K. S. Lim, ...
  • /germanium carbide based solar cells, " Applied Physics Letters, vol. ...
  • M. Wang, X. G. Diao, A. P. Huang, P. K. ...
  • C. Ricciardi, A. Primiceli, G. Germani, A. Rusconi, and F.Giorgis, ...
  • C. Ricciardi, E. Bennici, M. Cocuzza, et al., _ _ ...
  • Figure 1: The TEM micrographs of the sample with 150 ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه آزاد
    تعداد مقالات: ۸۸۰۲
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.