شبیه سازی عددی اثر میدان مغناطیسی بر جابه جایی آزاد نانوسیال در یک حفره با استفاده از روش شبکه بولتزمن

در این مقاله جابه جایی آزاد یک نانو سیال در یک حفره گرم شده از کف در حضور یک میدان مغناطیسی خارجی به صورت عددی با استفاده از روش شبکه بولتزمن مورد بررسی قرار گرفت. حفره مربعی از مخلوط کرسن کبالت پرشده است. این بررسی با دیگر کارهای تجربی و عددی مقایسه شده و هماهنگی قابل قبولی مشاهده شد. مشخصات ترموفیزیکی نانوسیال را به جز چگالی که متغیر است و از مدل تقریب بوزینسک استفاده شده است را ثابت فرض می کنیم. اثر عدد رایلی ،ضریب مغناطیسی، طول منبع گرما و کسر حجمی کبالت در سیال و مشخصات انتقال گرما مورد برسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که با افزایش اعداد رایلی ،طول منبع گرمایی و کسر حجمی، مقادیر دما نیز افزایش پیدا می کند. عدد ناسلت رابطه مستقیمی با عدد رایلی و طول منبع حرارتی و رابطه معکوسی با کسر حجمی کبالت دارد. همچنین هرچه ضریب مغناطیسی کوچکتر باشد پروفیل دمایی افزایش خواهد یافت

کلیدواژه ها:

جابه جایی آزاد ، نانو سیال ، منبع مغناطیسی ، ، روش شبکه بولتزمن ، حفره مربعی ، تقریب بوزینسک