شبیه سازی و مقایسه ترانزیستورهای اثرمیدانی نانو نوار گرافنی،سیلیکن و ژرمانن با استفاده از روش تابع گرین
محل انتشار: کنفرانس ملی دانش و فناوری علوم مهندسی ایران
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 417
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MGCONF01_097
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی عملکرد بالستیک ترانزیستورهای اثر میدانی نانو نوار مبتنی بر گرافن ، سیلیکن و ژرماننپرداخته ایم.شبیه سازی ها در حالت بالستیک و با استفاده از روال تابع گرین غیر تعادلی (NEGF) و در فضای مد صورت گرفته است. نتایج حاصله نشان می دهد که ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافنی دارای نسبت جریانروشنی به خاموشی بالاتر و توان مصرفی کم تر و تاخیر زمانی بیشتر و بازای کاهش ولتاز گیت دارای جریانتونل زنی کم تری نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار سیلیکنی و ژرماننی می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
قاسم حاجی نوروز
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک، گروه مهندسی برق- الکترونیک، اراک، ایران
اشکان حری
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک، گروه مهندسی برق- الکترونیک، اراک، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :