بررسی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور نانوسیمی بدون پیوند معمول و مقایسه آن با ساختار ترانزیستور بدون پیوند تحت کرنش
محل انتشار: کنفرانس ملی دانش و فناوری علوم مهندسی ایران
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,290
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MGCONF01_113
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
افزایش کار آیی در ماسفت ها با کوچک کردن ابعاد افزاره ها و ورود به نظام نانو متری حاصل می شود. ترانزیستورها در ابعاد نانو با توجه به مزیت های آن، مشکلاتی را پدید می آورد که به آثار کانال کوتاه معروفند که موجبضعف عملکرد و افزایش توان تلفاتی در این افزاره ها می گردد. در این مقاله اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهاینانو سیمی بدون پیوند معمول و نانو سیمی بدون پیوند تحت کرنش، مانند ولتاژ آستانه، DIBL جریان حالت روشن و خاموش بررسی شده است. همچنین، مشخصه های الکتریکی دو ساختار مقایسه گردیده است. تحلیلهای عددی نشان می دهد استفاده از کرنش در ساختار ترانزیستورهای نانو سیمی بدون پیوند موجب افزایشجریان حالت روشن، کاهش مقدار DIBL، افزایش ولتاژ آستانه و بهبود مشخصه های الکتریکی می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
زینب حیدری اصل
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر
سیدرضا حسینی
استادیار گروه برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :