بررسی خواص فیزیکی اکسید روی شبه گرافینی در حضور اتم هیدروژن

در این مقاله با استفاده از نظریه تابع چگالی خواص الکترونیکی صفحه اکسید روی بدون ناخالصی و سپس خواص صفحه ی اکسید روی در حضور اتم هیدروژن را بررسی کردهایم که شامل ساختار نواری و چگالی حالات الکترونی میباشد. نشان داده ایم چگالی حالات صفحه اکسیدروی باحضور اتم هیدروژن در مقایسه با چگالی حالات صفحه اکسید روی بدون هیدروژن تفاوت دارد و مشاهده کردیم حضوراتم هیدروژن، باعث ایجاد خاصیت مغناطیسی در نمونه و به دنبال آن پهن شدگی توزیع الکترون در گستره انرژی میشود. همچنین با توجه به نمودار ساختار نواری و با کوچک شدن اندازه گاف انرژی اکسید روی با حضور ناخالصی نسبت به حالت بدون ناخالصی و قرارگرفتن تراز فرمی در نوار رسانش، به این نتیجه رسیدیم که صفحه اکسیدروی باحضور اتم هیدروژن خاصیت رسانندگی دارد

کلیدواژه ها:

اکسید روی ، ساختار نواری ، چگالی حالات ، نظریه تابع چگالی