فرایند انتقال ناخالصی به درون ویفر با روش کاشت یون (ion implantation)

کاشت یون یکی از مهمترین روش نفوذ ناخالصی به درون ویفر در صنایع قطعه سازی الکترونیک و میکروالکترونیک است و نسبت به روش دیگر (نفوذ) مزایای بسیاری را دارد و کاشت یون فرایندی در مهندسی است که در آن یون های برخی مواد را می توان در ماده ای دیگر کاشت و ویژگی های فیزیکی آن ماده را تغییر داد و یک فناوری قوی و دقیق در ساخت آی سی های مهم و پیشرفته است. در روش کاشت یون یک دستگاه شتاب دهنده ذرات با ولتاژ بسیار بالا ، یک پرتو یون های ناخالصی را با سرعت سیار زیاد تولید می کند که می تواند در سطح سیلیکونی ویفر هدف نفوذ کند و آن مزایای بسیاری نسبت به رسوب های نفوذ در دمای بالا ارائه می کند کاشت یون یک فرایند در دمای پایین است و برای حداقل رساندن جنبش ناخالصی های نفوذ یافته در مدارات VLSI بسیار مهم است و به صورت کلی فرایند کاشت یون را توضیح و اشکالات روش فوق را بیان می کنیم به عنوان یک مقدمه کوتاه این بخش را آغاز می کنیم که هنگامی که شما متن را می خوانید بتوانید بفهمید.

کلیدواژه ها:

کاشت یون ، نفوذ